Баллистическая ракета 9М723К5 "Искандер-М"
Полевой транзистор FDS6680A
GMABVS
Баллистическая ракета 9М723К5 "Искандер-М"
Блок приемо-вычислительный спутниковой навигационной системы БНАП-Б 9Б919 к МА2Б
Печатная плата BNAP VIP v8
Полевой транзистор
FDS6680A
GMABVS
Наименование и маркировка
Полевой транзистор
FDS6680A
GMABVS
GMABVS
Страна производителя
Соединенные Штаты Америки
Производитель
Fairchild Semiconductor (ON Semiconductor)
Расширенное описание
Дополнительная информация
Дата публикации
27.08.2026
Если вы имеете дополнительную информацию о происхождении этого компонента, страны и/или даты производства, его применения, технических характеристик, цепочек поставки агресорам – вы можете сообщить ее нам и мы обязательно ее используем и, в случае целесообразности, добавим на эту страницу с ссылкой на вас, или без (по вашему желанию)
Сообщить дополнительную информацию