Подписаться

БПЛА "Корсар"

RF JFET транзистор DC-6GHz 28V 25W Gain 13dB с высокой подвижностью электронов (HEMT) на основе нитрида галлия (GaN) CREE CGH40025F C34615S
БПЛА "Корсар"
Усилитель мощности Mini-Circuits ZHL-16W-43X-S
RF JFET транзистор DC-6GHz 28V 25W Gain 13dB с высокой подвижностью электронов (HEMT) на основе нитрида галлия (GaN)
CREE CGH40025F C34615S
RF JFET транзистор DC-6GHz 28V 25W Gain 13dB с высокой подвижностью электронов (HEMT) на основе нитрида галлия (GaN)
Наименование и маркировка
RF JFET транзистор DC-6GHz 28V 25W Gain 13dB с высокой подвижностью электронов (HEMT) на основе нитрида галлия (GaN)
CREE CGH40025F C34615S
Страна производителя
Соединенные Штаты Америки
Производитель
CREE
Расширенное описание
Дата производства
Дополнительная информация
Если вы имеете дополнительную информацию о происхождении этого компонента, страны и/или даты производства, его применения, технических характеристик, цепочек поставки агресорам – вы можете сообщить ее нам и мы обязательно ее используем и, в случае целесообразности, добавим на эту страницу с ссылкой на вас, или без (по вашему желанию)
Сообщить дополнительную информацию
War & Sanctions 2024