Підписатися

БПЛА "Корсар"

RF JFET транзистор DC-6GHz 28V 25W Gain 13dB з високою рухливістю електронів (HEMT) на основі нітриду галію (GaN) CREE CGH40025F C34615S
БПЛА "Корсар"
Підсилювач потужності Mini-Circuits ZHL-16W-43X-S
RF JFET транзистор DC-6GHz 28V 25W Gain 13dB з високою рухливістю електронів (HEMT) на основі нітриду галію (GaN)
CREE CGH40025F C34615S
RF JFET транзистор DC-6GHz 28V 25W Gain 13dB з високою рухливістю електронів (HEMT) на основі нітриду галію (GaN)
Найменування та маркування
RF JFET транзистор DC-6GHz 28V 25W Gain 13dB з високою рухливістю електронів (HEMT) на основі нітриду галію (GaN)
CREE CGH40025F C34615S
Країна виробника
Сполучені Штати Америки
Виробник
CREE
Розширений опис
Дата виробництва
Додаткова інформація
Якщо ви маєте додаткову інформацію щодо походження цього компоненту, країни та/або дати виробництва, його застосування, технічних характеристик, ланцюжків постачання агресорам – ви можете повідомити її нам та ми обов’язково її використаємо та, у разі доцільності, додамо на цю сторінку з посиланням на вас, або без (за вашим бажанням)
Повідомити додаткову інформацію
War & Sanctions 2024