Автоматизована станція постановки перешкод Р-330 БМВ
Асинхронна пам’ять K6r4016v1d-TI08
Автоматизована станція постановки перешкод Р-330 БМВ
ПРИСТРІЙ ФОРМУВАННЯ ЗАВАДИ
Блок ВД2
Асинхронна пам’ять
K6r4016v1d-TI08
Найменування та маркування
Асинхронна пам’ять
K6r4016v1d-TI08
Країна виробника
Республіка Корея
Виробник
Samsung Electronics
Розширений опис
Дата виробництва
Додаткова інформація
Якщо ви маєте додаткову інформацію щодо походження цього компоненту, країни та/або дати виробництва, його застосування, технічних характеристик, ланцюжків постачання агресорам – ви можете повідомити її нам та ми обов’язково її використаємо та, у разі доцільності, додамо на цю сторінку з посиланням на вас, або без (за вашим бажанням)
Повідомити додаткову інформацію